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《感應(yīng)烹飪?cè)O(shè)備 EMC 專項(xiàng)整改:給電磁系統(tǒng)裝 “能量盾牌”!從線圈驅(qū)動(dòng)到 AI 菜譜的全域抗干擾協(xié)議》

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一、EMC測(cè)試核心項(xiàng)目(依據(jù)EN 55014/CISPR 14系列標(biāo)準(zhǔn))

感應(yīng)烹飪?cè)O(shè)備需進(jìn)行以下兩類測(cè)試:

1. 電磁騷擾(EMI)測(cè)試

連續(xù)/斷續(xù)騷擾電壓(150kHz–30MHz):評(píng)估電源線傳導(dǎo)干擾,確保開(kāi)關(guān)電路噪聲不超標(biāo) 。

騷擾功率(30–300MHz):通過(guò)吸收鉗測(cè)量沿電源線輻射的電磁能量 。

輻射騷擾場(chǎng)強(qiáng)(30MHz–6GHz):檢測(cè)設(shè)備高頻電路(如IGBT)產(chǎn)生的空間輻射,新版標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)展至6GHz以覆蓋智能設(shè)備頻段 。

2. 電磁抗擾度(EMS)測(cè)試

靜電放電(ESD) :針對(duì)操作界面(按鈕、屏幕)施加8kV接觸放電,驗(yàn)證抗靜電能力(顯示感應(yīng)爐需測(cè)試電源按鈕、散熱片等關(guān)鍵點(diǎn)) 。

快速瞬變脈沖群(EFT):模擬電網(wǎng)開(kāi)關(guān)噪聲,測(cè)試電壓端口抗干擾性 。

浪涌:評(píng)估雷擊或大電流沖擊下的耐受性 。

射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾:通過(guò)電流注入模擬外部干擾 。

電壓跌落與中斷:測(cè)試供電波動(dòng)時(shí)的運(yùn)行穩(wěn)定性 。

二、核心檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及更新要點(diǎn)1. 國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)

EN 55014-1:2021 / CISPR 14-1:2020:

頻率范圍擴(kuò)展至6GHz,新增感應(yīng)炊具測(cè)試要求(如特定負(fù)載條件) 。

明確輻射發(fā)射測(cè)試布置(如電纜位置、高度) 。

EN 55014-2:2021 / CISPR 14-2:2020:

增強(qiáng)抗擾度測(cè)試等級(jí),如ESD空氣放電升至15kV 。

2. 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)(CCC認(rèn)證強(qiáng)制要求)

GB 4343.1-2024(替代2018版):

增加DC/電池供電設(shè)備測(cè)試,擴(kuò)展輻射頻率至6GHz 。

明確感應(yīng)炊具運(yùn)行條件(如鍋具材質(zhì)、功率檔位) 。

GB :諧波電流限值(A類設(shè)備) 。

3. 其他地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)差異點(diǎn)
美國(guó)FCC Part 15B僅要求EMI測(cè)試(30MHz–1GHz) 
歐盟EN 55014-1/2 + EN 6需額外測(cè)試諧波與電壓閃爍 
韓國(guó)KN 14-1 / KN 14-22022年起等同采用CISPR 14:2020 
澳洲AS/NZS CISPR 14.1:2021與CISPR 14-1:2020一致 
三、常見(jiàn)EMC整改方案1. 電路設(shè)計(jì)優(yōu)化

高頻噪聲抑制:

在IGBT驅(qū)動(dòng)電路添加RC緩沖電路,減少開(kāi)關(guān)振鈴(顯示可降低輻射5dB) 。

使用共模電感(CM-L1)與安規(guī)電容構(gòu)成低通濾波器,抑制20–100MHz傳導(dǎo)噪聲 。

2. 屏蔽與接地改進(jìn)

金屬外殼接地:確保接地阻抗。

線纜屏蔽:電源線加磁環(huán)(100MHz以上頻段),并縮短長(zhǎng)度至。

3. 靜電防護(hù)設(shè)計(jì)

操作面板增加ESD保護(hù)器件(如TVS二極管),散熱片與PCB保持安全間距(通過(guò)此方案通過(guò)8kV測(cè)試) 。

4. 熱管理與寄生參數(shù)控制

采用納米銀燒結(jié)工藝降低熱阻,避免高溫導(dǎo)致元件參數(shù)漂移 。

優(yōu)化PCB布局:功率回路面積。

四、高頻模塊的EMC專項(xiàng)整改(針對(duì)感應(yīng)烹飪?cè)O(shè)備)

問(wèn)題根源:IGBT開(kāi)關(guān)頻率(20–50kHz)產(chǎn)生高次諧波,輻射頻段集中于30–300MHz 。

解決方案:

濾波器升級(jí):在整流橋后增加二階LC濾波器(如10μH電感+0.1μF電容)。

驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化:采用負(fù)壓關(guān)斷技術(shù)(-5V)抑制米勒效應(yīng),減少VDS尖峰 。

散熱設(shè)計(jì):鋁基板替代FR4,降低高頻輻射 。

五、認(rèn)證流程注意事項(xiàng)

中國(guó)CCC認(rèn)證:

需提交關(guān)鍵EMC元件清單(如濾波器、屏蔽罩),變更時(shí)需重新測(cè)試 。

2026年6月起強(qiáng)制采用GB 4343.1-2024 。

歐盟CE認(rèn)證:

EN 55014-1:2021強(qiáng)制實(shí)施日期為2023年10月12日 。

感應(yīng)烹飪?cè)O(shè)備的EMC合規(guī)需聚焦兩點(diǎn):

測(cè)試覆蓋全頻段:尤其關(guān)注>1GHz輻射與靜電抗擾度。

整改針對(duì)高頻特性:優(yōu)化IGBT驅(qū)動(dòng)、濾波器及散熱設(shè)計(jì)。


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